特許
J-GLOBAL ID：200903003330559378

TABテープ及びそれを用いた半導体装置

発明者：
高橋 軍一

高橋 軍一 について

, 
山口 健司

山口 健司 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-305833
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127120
出願日： 1999年10月27日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【課題】半導体装置を構成するTABテープの銅箔の粗化面を最大粗さにより規制して、60μm以下といった狭ピッチのリードパターンを確実に形成することを可能とし、半導体装置の温度サイクル等の長期信頼性を高めることを可能とする。【解決手段】接着剤3を貼り合わせした絶縁性ベースフィルム1に穴開けした後、銅箔2を貼り合せて配線パターン4を形成したTABテープ1を用い、その配線パターン4のリード4aを直接に又はボンディングワイヤ13を介して半導体チップ30とボンディングした半導体装置において、前記TABテープの銅箔2に、光沢表面最大粗さが2μm以下で粗化面の最大粗さが2.5μm以下である高温高伸び箔を用いる。
請求項１：
接着剤を貼り合わせした絶縁性ベースフィルムに穴開けした後、銅箔を貼り合せて配線パターンを形成したTABテープにおいて、前記銅箔に、光沢表面最大粗さが2μm以下で粗化面の最大粗さが2.5μm以下である高温高伸び箔を用いたことを特徴とするTABテープ。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12
FI (2件)：
H01L 21/60 311 W ,  H01L 23/12 L
Fターム (7件)：
5F044MM03 ,  5F044MM06 ,  5F044MM13 ,  5F044MM22 ,  5F044MM23 ,  5F044MM31 ,  5F044RR18
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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