特許
J-GLOBAL ID:200903003330605574

半導体装置およびメモリ装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 加藤 恭介
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-380151
公開番号(公開出願番号):特開2001-203354
出願日: 1992年10月30日
公開日(公表日): 2001年07月27日
要約:
【要約】【課 題】 半導体集積回路等の半導体装置およびメモリ装置に関する。【解決手段】 半導体装置は、ソース領域、ドレイン領域およびチャネル形成領域を有する半導体と、前記半導体上のゲート部とから構成されている。前記ソース領域は、前記ゲート部と重なっており、前記ソース領域および前記ドレイン領域は、前記半導体の表面から前記半導体の厚さ以下の深さで広がっている。また、前記ドレイン領域は、前記ソース領域よりも浅く、0.1μm以下の深さであり、前記ドレイン領域の端部は、前記ゲート部の端部と一致している。さらに、前記チャネル形成領域は、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間にあって、前記ゲート部に隣接し、かつ長さが1μm以下である。
請求項(抜粋):
ソース領域、ドレイン領域およびチャネル形成領域を有する半導体と、前記半導体上のゲート部と、を有する半導体装置であって、前記ソース領域は前記ゲート部と重なっており、前記ソース領域および前記ドレイン領域は前記半導体の表面から前記半導体の厚さ以下の深さで広がっており、前記ドレイン領域は前記ソース領域よりも浅く、0.1μm以下の深さであり、前記ドレイン領域の端部は前記ゲート部の端部と一致しており、前記チャネル形成領域は前記ソース領域と前記ドレイン領域の間にあって前記ゲート部に隣接し、かつ長さが1μm以下であることを特徴とする半導体装置。
IPC (8件):
H01L 29/78 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (5件):
H01L 21/22 E ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 27/08 321 E ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
引用特許:
審査官引用 (13件)
  • 特開平2-128477
  • 特開平4-253374
  • 特開昭57-148374
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