特許

J-GLOBAL ID：200903003333640656

ドライエッチング装置およびドライエッチング方法

発明者： 門村 新吾
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-286012
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116821
出願日： 1996年10月08日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 高選択比でSiO2 膜などを高精度で再現性良くエッチングし、高アスペクト比で微細なコンタクトホールを容易に形成する。【解決手段】 平行平板型の電極を有するドライエッチング装置において、対向電極4aの表面にAlNなどのセラミックス製のカバー4bを直接ろう付けし、アノード4とする。アノード4は、対向電極4aにガス冷媒チラー12からフロンなどのガス冷媒を供給することにより急速冷却することができ、カバー4bの内部に設けられたヒーターにより急速加熱することができるようにする。このドライエッチング装置を用いてSiO2 膜などをエッチングしてコンタクトホールを形成する場合には、エッチング時にアノード4を冷却してフルオロカーボンポリマーの前駆体を吸着させ、その後アノード4を加熱してフルオロカーボンポリマーの前駆体を放出させてからオーバーエッチングを行う。

請求項１：

平行平板型の電極を有するドライエッチング装置において、少なくとも、対向電極の温度を急速に制御する急速温度制御手段を有することを特徴とするドライエッチング装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/302 C ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/90 C