特許

J-GLOBAL ID：200903003341479139

シリコンの熱処理方法

発明者： 飯野 栄一 ,  布施川 泉 ,  廣畑 達明 ,  山岸 浩利
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 舘野 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-289181
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102167
出願日： 1991年10月07日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】 特に高温プロセスにおいて、結晶成長方向の酸素析出分布を改善することができ、特に結晶底部の酸素析出量が低下せず、かつ所定の酸素析出量を結晶成長方向に均一に得ることができるようにしたシリコンの熱処理方法を提供する。【構成】 チョクラルスキー法で製造した単結晶シリコンを400〜550°Cの低温で熱処理し、加えて更に650〜750°Cで熱処理する

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法で製造した単結晶シリコンを400〜500°Cの低温で熱処理し、加えて更に650〜750°Cで熱処理することを特徴とするシリコンの熱処理方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭58-171826
  
• 特開昭58-140132
  
• 特開平2-263792
  
• 特開昭60-247935