特許
J-GLOBAL ID：200903003344662724
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
煤孫 耕郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-326215
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153842
出願日： 1993年11月30日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】 フォトリソグラフィー技術の解像度を超えた微細コンタクトホールを形成し、下層配線層と上部配線層との絶縁を充分に行なう。【構成】 層間膜上に、第1の導電体層と、絶縁膜と、第2の導電体層を順次積層し、異方性ドライエッチング法を用いて、第1の導電体層を選択的にエッチング除去する。その後オゾンTEOS・NSG膜をCVD法を用いて全面に成長させ、第1の導電体層の上部及び側壁に厚く、絶縁膜上に薄く形成する。第2の導電体膜上の絶縁膜と、NSG膜をエッチング除去し、サイドウォールを形成する。第1及び第2の導電体膜を、マスクとして異方性ドライエッチングにより微細コンタクトホールを開口する。これにより、層間絶縁膜厚が安定確保できるとともに、異方性ドライエッチングによるコンタクトホールサイズの拡大が生じないので、異電位間の絶縁性が安定確保できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の第1の絶縁膜と、該第1の絶縁膜上の第1の導電体膜と、該第1の導電体膜上の第2の絶縁膜と、該第2の絶縁膜上の第2の導電体膜と、前記第1の導電体膜と、前記第2の導電体膜とを接続する第1のコンタクトホールと、該第1のコンタクトホールの内側に、前記第1の導電体膜と、該第1の導電体膜より下層の導電体層と接続する、第2のコンタクトホールを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/3213
H01L 21/90 B
, H01L 21/88 D
