特許
J-GLOBAL ID:200903003350456052

電磁波発生・検出素子およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 加藤 一男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-192299
公開番号(公開出願番号):特開2006-013405
出願日: 2004年06月29日
公開日(公表日): 2006年01月12日
要約:
【課題】電磁波発生・検出素子において、共振器損失の小さい構造として発振しきい値を低減し、比較的低消費電力のものを実現することである。【解決手段】電磁波発生・検出素子は、一定空間内において特定周波数の電磁波をこの空間内に閉じ込めるために屈折率が複数の箇所で変調された屈折率分布構造体1を備え、構造体1内の電磁波が閉じ込められる領域近傍に、半導体ヘテロ構造による量子井戸構造の量子井戸に生成されたサブバンド間の遷移により電磁波に対する利得を与える媒体4を備える。屈折率分布構造体1としては、細部の構造と全体の構造が相似形になっているフォトニックフラクタル構造、屈折率が周期的に変調を起こした人工結晶であるフォトニック結晶構造などがある。【選択図】図1
請求項(抜粋):
所定の空間を有し、特定周波数の電磁波を前記所定の空間内に閉じ込めるために屈折率が複数の箇所で異なる構造体と、前記所定の空間に閉じ込められた前記電磁波に対して利得を与えるための媒体とを備え、前記媒体はポテンシャル障壁に囲まれた量子井戸構造を有し、電力を前記媒体に与えた状態で、前記量子井戸構造中のキャリアがサブバンド間を遷移することにより、前記電磁波に対して利得を与えることを特徴とする電磁波発生素子。
IPC (1件):
H01S 5/10
FI (1件):
H01S5/10
Fターム (9件):
5F173AA01 ,  5F173AB50 ,  5F173AB51 ,  5F173AB90 ,  5F173AF02 ,  5F173AF20 ,  5F173AH03 ,  5F173AP05 ,  5F173SC10
引用特許:
出願人引用 (1件)

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