特許

J-GLOBAL ID：200903003350803585

太陽電池の製造方法

発明者： 三島 孝博 ,  石川 直揮 ,  江本 真樹子
出願人/特許権者： 株式会社荏原製作所
代理人 (4件)： 渡邉 勇 ,  堀田 信太郎 ,  小杉 良二 ,  森 友宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-261888
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103736
出願日： 2002年09月06日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】結晶構造に依存することなく、半導体基板表面に簡便な方法でテクスチャ構造を施し、より多くの入射光をトラップすることができる太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】太陽電池を構成する半導体基板11上に、ペーストを使用して多孔質の耐エッチング性膜13を形成し、多孔質の耐エッチング性膜13をマスクとして用いて、エッチングを行うことにより、半導体基板11上に、微細な凹凸からなる反射防止構造15を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

太陽電池を構成する半導体基板上に、ペーストを使用して多孔質の耐エッチング性膜を形成し、前記多孔質の耐エッチング性膜をマスクとして用いて、エッチングを行うことにより、前記半導体基板上に、微細な凹凸からなる反射防止構造を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。

IPC (1件)：

H01L31/04

FI (1件)：

H01L31/04 H

Fターム (8件)：

5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051AA05 ,  5F051BA14 ,  5F051GA04 ,  5F051GA15 ,  5F051GA16 ,  5F051HA07