特許

J-GLOBAL ID：200903003355084315

電気光学デバイスを製造する方法

発明者： マーク バーナード チョレワ ,  ジョン ウィリアム オーゼンバッハ ,  ブリアン フィリップ セグナー
出願人/特許権者： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-322049
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211674
出願日： 1994年12月26日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】 ウェハーを、実質的に刻み目のない、高品質と歩留のミラー面を有するバーに分割する電気光学デバイス半導体を製造するための改善された方法を提供すること。【構成】 ウェハーをエピタキシアル側から基板側の刻み込マークの下へ叩くことにより、ウェハーを半導体材料のバーに分割するために分割装置が用いられる半導体電気光学デバイスを製造する方法である。角度をもって形成された一連の溝が半導体バーのエピタキシャル側を横切ってエッチングされ、バーを個々のデバイスへの分割し、複数のバーが同時に処理される。

請求項（抜粋）：

半導体電気光学デバイスを製造する方法であって、基板ウェハー上に少なくとも1つのエピタキシアル層を形成する工程と、前記エピタキシアル層に少なくとも1つの酸化層を加える工程と、前記ウェハーのウェハーからバーへの分割が起こる位置と対応する位置の前記ウェハーの基板側の上に刻み込マークを入れる工程と、刻みを入れるプラットフォーム上に前記ウェハーを取り付ける工程と、分割ツールによって前記ウェハーのエピタキシアル側を打つことによって、前記ウェハーを少なくとも一つのバーに分割する工程と、前記バーを刻み込み用プラットフォーム上に取り付ける工程と、前記バーを個々の電気光学デバイスに分割する工程とによって構成される半導体電気光学デバイスを製造する方法。

IPC (4件)：

H01L 21/301 ,  B28D 5/00 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 21/78 T ,  H01L 21/78 S

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭55-027623
  
• 特開昭57-093545
  
• 特開昭52-070781