特許

J-GLOBAL ID：200903003355714580

積層セラミックコンデンサ

発明者： 浅井 尚
出願人/特許権者： 太陽誘電株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-116373
公開番号（公開出願番号）：特開2008-277372
出願日： 2007年04月26日
公開日（公表日）： 2008年11月13日
要約：

【課題】 内部電極の交差部分とマージン部分との厚みの差に起因する焼成時の収縮差によって静電容量層と保護層の間にデラミネーション等が発生するのを防止することができる積層セラミックコンデンサを提案する。【解決手段】 セラミック誘電体3を介して内部電極4が交互に積み重ねられている静電容量層5を有し、この静電容量層5の積層方向上下両面に保護層6が重ねられており、この静電容量層5及び保護層6とで構成された積層体2に一対の外部電極7が形成された構造を有する。そして積層体2の隅部付近の、静電容量層5と保護層6との境界部分に切り欠き8が形成されている。また、この切り欠き8には、外部電極7を構成する導電体が入り込んでいる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

セラミック誘電体層と内部電極層が交互に積層されかつ該内部電極層が一つおきに相対向する端面に露出するように形成された略直方体形状の静電容量層と、前記静電容量層の積層方向の上下両主面に重ねられたセラミック誘電体からなる保護層と、前記静電容量層及び前記保護層で構成される略直方体形状の積層体の内部電極が露出している端面に形成されかつ前記内部電極層と電気的に接続する一対の外部電極とを有している積層セラミックコンデンサにおいて、 前記積層体の隅角部付近の前記保護層と前記静電容量層との境界部分に切り欠きが形成されており、前記切り欠きに前記外部電極の一部が入り込んでいる ことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。

IPC (2件)：

H01G 4/12 ,  H01G 4/30

FI (2件)：

H01G4/12 349 ,  H01G4/30 301E

Fターム (15件)：

5E001AB03 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AH01 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5E082AA01 ,  5E082AB03 ,  5E082EE04 ,  5E082EE23 ,  5E082FG04 ,  5E082GG11 ,  5E082LL02 ,  5E082MM23 ,  5E082MM24

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭52-135050号公報
  
• 特開昭52-135051号公報
  
• 積層セラミックコンデンサとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-074787   出願人：太陽誘電株式会社