特許

J-GLOBAL ID：200903003361698104

化合物半導体装置の製造方法およびその選択エッチング液

発明者： 正戸 宏幸 ,  井上 薫 ,  松野 年伸 ,  龍治 彰
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-066770
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275415
出願日： 1992年03月25日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 InGaAs層とInAlAs層を少なくとも含む化合物半導体装置において、InGaAs層を選択的にエッチングする選択エッチング液を提供する。【構成】 酒石酸(C4H6O6)、過酸化水素水およびアンモニアの混合液より構成され、InGaAsとInAlAsの選択エッチングにおいて良好な選択比が得られる。

請求項（抜粋）：

酒石酸(C4H6O6)、過酸化水素水およびアンモニアを含む混合液からなり、前記混合液中に含まれる酒石酸の濃度が100μmol/cc以下であり、InGaAs層とInAlAs層を含む化合物半導体装置において前記InGaAs層を選択的にエッチングする事を特徴とする化合物半導体の選択エッチング液。

IPC (3件)：

H01L 21/308 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-006846
  
• 特開平3-219000
  
• 特開平1-157536
  
• 特開平3-219000