特許
J-GLOBAL ID：200903003367101584
半導体レーザ装置、画像表示装置、及び光伝送システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-181856
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027946
出願日： 1996年07月11日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：
【要約】【課題】 波長400から700nmの波長域の実用レベルの性能を有するII-VI族半導体レーザの提供を可能にすること。【解決手段】 レ-ザ材料と同じII-VI族化合物半導体であるp型ZnTeを基板に用い、クラッド層の組成をZnMgSeTeとすることでレ-ザ共振器を構成する半導体積層構造を基板との格子整合条件を満たした条件で形成する。【効果】 ZnMgSeTeのクラッド層組成を調整することで所望の発光組成を有する活性層を基板と格子整合させて形成できるため、活性層内で発生する積層欠陥や転位などの欠陥の発生を抑制でき、素子の温度特性も顕著に改善できる。
請求項（抜粋）：
p伝導型ZnTe単結晶基板上部に該基板と実質的に格子整合条件を満たすよう形成されたZn<SB>x</SB>Mg<SB>1-x</SB>Se<SB>y(1-x)</SB>Te<SB>1-y(1-x)</SB>(0≦x<1)の組成を有するクラッド層を含むことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H04B 10/28
, H04B 10/02
