半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-087552
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274247
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】フューズ配線上の層間膜を制御性よく加工することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】フューズ配線12b上の層間膜は、カバー膜として残すべきシリコン酸化膜13と、エッチングで除去すべきSOG膜14及びシリコン酸化膜15とから形成され、層間膜が積層化されている。従って、フューズ配線12b上の層間膜を加工する際、シリコン酸化膜13の表面でエッチングを停止することにより、従来よりも制御性よくフューズ配線12b上の層間膜を加工できる。

請求項（抜粋）：

第1の絶縁膜内に第1の金属配線と配線を選択的に形成する工程と、全面に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜上にSOG膜を形成する工程と、前記SOG膜上に第3の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の金属配線上の前記第2、第3の絶縁膜及び前記SOG膜内に接続孔を形成する工程と、前記接続孔上に前記第1の金属配線と接続する第2の金属配線を選択的に形成する工程と、全面に第4の絶縁膜を形成する工程と、前記第4の絶縁膜上に第5の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の配線の上方及び前記配線の上方の前記第5の絶縁膜の表面を露出するように、前記第5の絶縁膜上に樹脂膜を形成する工程と、第1の条件を用いたドライエッチングにより、前記第5の絶縁膜を除去する工程と、第2の条件を用いたドライエッチングにより、前記第2の金属配線上の前記第4の絶縁膜を除去して前記第2の金属配線の表面を露出するパッド開口を形成するとともに、前記配線上の前記第3、第4の絶縁膜を除去して前記SOG膜の表面を露出する第1の開口部を形成する工程と、エッチングにより、前記配線上の前記SOG膜を除去し、前記第2の絶縁膜の表面を露出する第2の開口部を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/82 , H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/90 B , H01L 21/82 F , H01L 21/88 R , H01L 21/88 T

Fターム (33件)：

5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH14 , 5F033HH19 , 5F033HH28 , 5F033MM01 , 5F033NN01 , 5F033NN31 , 5F033NN37 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ18 , 5F033QQ21 , 5F033QQ23 , 5F033QQ35 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR22 , 5F033RR27 , 5F033SS04 , 5F033SS22 , 5F033TT04 , 5F033VV07 , 5F033VV11 , 5F064BB14 , 5F064FF02 , 5F064FF27 , 5F064FF28 , 5F064FF42

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