特許

J-GLOBAL ID：200903003375410804

半導体発光素子アレイ

発明者： 小山 剛久
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-164084
公開番号（公開出願番号）：特開平6-350132
出願日： 1993年06月08日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【目的】半導体結晶層を基板上に構成し、電気的に分離して発光素子を複数個形成した半導体発光素子アレイにおいて、イオンを注入して半導体結晶層上部に高抵抗部分を形成して発光素子を電気的に分離し、平坦な面上に電極を形成することにより、より高密度に発光素子を集積して、発光素子特性を均一にする高品質な半導体発光素子アレイを低コストで提供することを目的とする。【構成】 基板2上にバッファ層3、反射層4を形成し、その反射層4の上にクラッド層5、発光層6、クラッド層7、コンタクト層8を順次積層し、Au膜9をマスクとして、イオンを注入させて発光素子11を分離させる。電極13は、半導体結晶層上面に形成されたSiN反射防止膜12上面を通って引き出されている。

請求項（抜粋）：

基板上に、伝導型の異なる半導体結晶層で発光層を挟み込むように接合して積層した半導体結晶層を、電気的に分離して発光素子を複数個形成した半導体発光素子アレイにおいて、前記半導体結晶層にイオンを注入して前記発光素子を電気的に分離し、前記半導体結晶層上面に、発光波長の透過率を最大にするような反射防止膜を形成し、前記複数の発光素子に接続する一方側の各々の電極を前記反射防止膜上面を通って引き出したことを特徴とする半導体発光素子アレイ。