特許

J-GLOBAL ID：200903003377517266

静電誘導サイリスタ

発明者： 早見 泰明 ,  村上 善則
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-266015
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122726
出願日： 1993年10月25日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【目的】ノーマリ・オフ特性であり、かつ、製造が容易な構造の静電誘電サイリスタを提供する。【構成】半導体基板の底部から順に、アノード領域51、ベース領域52、カソード領域53が層状に形成され、カソード領域53を挾んで、基板底部方向へ掘られた溝を有し、その溝の内部には絶縁膜56によってカソード領域53およびベース領域52と絶縁され、かつカソード領域53と同電位に保たれた絶縁電極57を有し、この絶縁電極57は、絶縁膜56と共に固定絶縁電極58を形成し、かつ絶縁膜56を介して隣接するベース領域52に空乏領域を形成するような仕事関数の導電性材料から成り、また固定絶縁電極58に挾まれたチャネル領域62を有し、さらに固定絶縁電極58の周辺の絶縁膜56およびベース領域52に接し、カソード領域53には接しないゲート領域54を有する、ノーマリ・オフ型の静電誘導サイリスタ。

請求項（抜粋）：

アノード領域となる第1導電型の半導体基板の一主面上に、第2導電型のベース領域を有し、前記ベース領域の一主面上にベース領域よりも高不純物濃度の第2導電型のカソード領域を有し、前記カソード領域を挾んで、前記カソード領域の主面から前記ベース領域方向へ掘られた溝を複数個有し、前記溝の内部には絶縁膜によって前記カソード領域およびベース領域と絶縁され、かつ、前記カソード領域と同電位に保たれた絶縁電極を有し、前記絶縁電極は、前記絶縁膜と共に固定絶縁電極を形成し、かつ、前記絶縁膜を介して隣接する前記ベース領域に空乏領域を形成するような仕事関数の導電性材料から成り、前記カソード領域に隣接する前記ベース領域の一部であって、前記固定絶縁電極によって挾み込まれたチャネル領域を有し、さらに、前記固定絶縁電極の周辺の前記絶縁膜および前記ベース領域に接し、前記カソード領域には接しない、第1導電型のゲート領域を有する、ことを特徴とする静電誘導サイリスタ。