特許

J-GLOBAL ID：200903003377786747

半導体スピン偏極電子源

発明者： 馬場 寿夫 ,  水田 正志 ,  大森 恒彦 ,  栗原 良将 ,  中西 彊
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-115221
公開番号（公開出願番号）：特開平7-320633
出願日： 1994年05月27日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】 大きなスピン偏極度と高い量子効率を兼ね合わせた半導体スピン偏極電子源を提供する。【構成】 基板1上に基板より電子親和力の小さなブロック層4と、スピン偏極電子の発生領域として、基板の格子定数よりも大きな格子定数を有し電子波長程度以下の厚さの歪ウェル層8と、歪ウェル層よりも価電子帯エネルギーが低く伝導帯の電子がトンネル効果で透過できる厚さのバリア層6との交互積層からなる格子緩和のないp型伝導の短周期歪超格子構造と、バンドの曲がりを吸収する表面層7を設けている。歪ウェル層に圧縮応力が加わることにより、超格子構造で生じる価電子帯の重い正孔と軽い正孔のバンドのエネルギー差がさらに広がる。

請求項（抜粋）：

基板上に少なくともスピン偏極電子の発生領域として、基板の格子定数よりも大きな格子定数を有し電子波長程度以下の厚さのウェル層と、ウェル層よりも価電子帯エネルギーが低く伝導帯の電子がトンネル効果で透過できる厚さのバリア層との交互積層からなる格子緩和のないp型伝導の歪超格子構造を含むことを特徴とする半導体スピン偏極電子源。