特許
J-GLOBAL ID：200903003378835733
半導体素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阪本 清孝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-023341
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190451
出願日： 1992年01月14日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【目的】 大面積基板上に堆積された非晶質半導体層上に紫外線を照射させて多結晶半導体層を得る際、従来使用されているエキシマレーザー装置を用いながら、結晶性の均一を図ることにより高品質の多結晶半導体層を得る。【構成】 絶縁性基板上に堆積した非晶質半導体層を、所定面積のビームスポットを有するエキシマレーザーで照射することにより結晶化させて多結晶半導体層を得る工程を具備する半導体素子の製造方法において、前記ビームスポットによる照射面積が1mm以下のピッチでずれるように、ビームスポットを半導体層上で相対的に走査することにより、半導体層上での各部分において照射される総エネルギー量を均一化する。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に堆積した非晶質半導体層を、所定面積のビームスポットを有するエキシマレーザーで照射することにより結晶化させて多結晶半導体層を得る工程を具備する半導体素子の製造方法において、前記ビームスポットによる照射面積が1mm以下のピッチでずれるように、ビームスポットを半導体層上で相対的に走査することを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, H01L 21/268
, H01L 21/336
, H01L 29/784
