特許
J-GLOBAL ID：200903003380100384
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-318541
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176195
出願日： 1993年12月17日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：
【要約】【目的】 電気的に書き込み、一括消去可能なフラッシュEEPROMの書き込み消去後の動作マージン不良を救済する。【構成】 消去後の動作領域を決定する消去ベリファイ基準電圧発生回路11AのNchトランジスタN1〜N3に、信号C1〜C3をゲート入力とするPchトランジスタP2〜P4を付加し、信号C1〜C3は電気的に書き込み消去可能な予備メモリのメモリセルに情報を書き込むことによって生成する。【効果】 消去や書込み後に動作マージン不良となる製品を救済できる。
請求項（抜粋）：
電気的に書き込み消去可能な不揮発性の予備メモリ、及び前記電気的に書き込み消去可能な不揮発性の予備メモリの情報に基づいて、消去後の動作領域を決定する消去ベリファイ基準電圧を変える消去ベリファイ基準電圧発生回路を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
FI (2件)：
G11C 17/00 530 B
, G11C 17/00 309 F
