特許
J-GLOBAL ID：200903003381619839
スパッタリング用ターゲット、その製造方法及びターゲット部材
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (7件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 青山 正和
, 江口 昭彦
, 杉浦 秀幸
, 村山 靖彦
, 柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-251962
公開番号（公開出願番号）：特開2004-091819
出願日： 2002年08月29日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】ドーパントの偏析及び応力歪みを抑制できる。【解決手段】ルツボ1内で溶融させたシリコン融液Lにドーパントを添加し、このシリコン融液Lを下部から上方に一方向凝固させてシリコンインゴットCを作製する。一方向凝固したシリコンインゴットCを凝固方向に直交する方向にスライスすることにより、柱状晶の多結晶シリコンからなるスパッタリング用のシリコンターゲットT1を得る。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
ルツボ内で溶融させたシリコンにドーパントを添加し、この溶融させたシリコンを下部から上方に一方向凝固させてシリコンインゴットを作製し、該シリコンインゴットを凝固方向に直交する方向にスライスして得られた柱状晶の多結晶シリコンからなることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (3件)：
4K029BA35
, 4K029CA05
, 4K029DC03
