特許

J-GLOBAL ID：200903003382216762

窒化チタン膜の製造方法

発明者： 荒木 宗也
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-265763
公開番号（公開出願番号）：特開2002-069614
出願日： 2000年09月01日
公開日（公表日）： 2002年03月08日
要約：

【要約】【課題】 反応性スパッタリング法による窒化チタン膜の製造方法において、例えば陰極線管の表面処理膜に適する反射性、コンタクト向上のための光吸収性、漏洩電磁界防止等の機能を持つ良質の窒化チタン膜の成膜を可能にする。【解決手段】 窒化チタン膜を反応性スパッタリング法で成膜する際に、成膜雰囲気中の残留水分の分圧を全圧に対して0.3%以下にして前記窒化チタン膜を成膜する。

請求項（抜粋）：

窒化チタン膜を反応性スパッタリング法で成膜する際に、成膜雰囲気中の残留水分の分圧を全圧に対して0.3%以下にして前記窒化チタン膜を成膜することを特徴とする窒化チタン膜の製造方法。

IPC (6件)：

C23C 14/06 ,  C01B 21/076 ,  C23C 14/34 ,  G02B 1/10 ,  G02B 1/11 ,  H01J 9/20

FI (6件)：

C23C 14/06 A ,  C01B 21/076 B ,  C23C 14/34 R ,  H01J 9/20 A ,  G02B 1/10 Z ,  G02B 1/10 A

Fターム (19件)：

2K009AA06 ,  2K009BB02 ,  2K009CC01 ,  2K009CC02 ,  2K009CC03 ,  2K009CC14 ,  2K009CC21 ,  2K009DD02 ,  2K009DD04 ,  2K009EE01 ,  2K009EE03 ,  4K029BA60 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029EA03 ,  4K029EA05 ,  5C028AA10