半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：後藤洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-049934
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251463
出願日： 1992年03月06日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】 LDD構造を有するトランジスタの製造工程において、ゲート電極形成のプラズマエッチング及びLDD形成のための不純物イオン注入によりゲート酸化膜に生じたダメージを回復させる。【構成】 LDD形成のためのイオン注入の後、サイドウォールの形成に先だって基板を弗素化合物を含む雰囲気中でランプ加熱装置を用いて加熱する事により、ゲート酸化膜中に弗素を導入し、プラズマエッチング及びイオン注入により生じたダメージであるところのシリコン原子の未結合手を弗素で終端し、安定したSi-F結合を作る事により、ホットキャリア注入時にこれらのダメージが界面準位となったり、キャリアトラップとならない様にして、閾値電圧の変動、キャリア移動度の低下を抑制する。

請求項（抜粋）：

LDD(Ligtly Doped Drain)構造を有する、電界効果絶縁ゲートトランジスタの製造において、ゲート電極の形成及びLDDの不純物イオンの注入に続き、サイドウォールの形成に先だって、弗素化合物を含む雰囲気中でシリコン基板をランプ加熱装置を用いて加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , H01L 21/26 , H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 29/78 301 L , H01L 21/265 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平3-296270
特開昭63-307725
特開平1-283873

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