特許

J-GLOBAL ID：200903003385583456

半導体装置およびその製造方法

発明者： 田中 秀明 ,  星 正勝 ,  林 哲也 ,  金子 佐一郎
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (2件)： 和泉 良彦 ,  小林 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-178996
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019494
出願日： 2003年06月24日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：

【課題】ノーマリーオフで且つ高いチャネル移動度を有する高耐圧な半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】第1導電型半導体基板1の第1主面上に形成されたこれよりも低不純物濃度の第1導電型のエピタキシャル層2とからなる半導体基体100と、エピタキシャル層2の表層部の所定領域に形成された所定深さの第2導電型ベース領域3a、3bと、これらの表層部の所定領域に形成され、これらの深さよりも浅い第1導電型のソース領域4a、4bと、ソース領域4a、4bとエピタキシャル層2とを繋ぐように形成された表面チャネル領域5と、ゲート絶縁膜6を介して表面チャネル領域5に対向して形成された仕事関数が5.1eV以上の半導体材料からなるゲート電極10と、ベース領域3a、3bおよびソース領域4a、4bに接触するように形成されたソース電極8と、半導体基体100の所定の位置に形成されたドレイン電極9とを備えている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基体の所定の位置に形成された第1導電型のソース領域とドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域とを繋ぐように配置された表面チャネル領域と、ゲート絶縁膜を介して前記表面チャネル領域に対向するように形成された仕事関数が5.1eV以上の半導体材料からなるゲート電極とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

FI (8件)：

H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652E ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/58 G ,  H01L29/44 L

Fターム (31件)：

4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB05 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD16 ,  4M104DD35 ,  4M104DD65 ,  4M104DD71 ,  4M104FF01 ,  4M104FF02 ,  4M104FF27 ,  4M104FF32 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH14 ,  5F140AA01 ,  5F140AA25 ,  5F140AC02 ,  5F140AC23 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA16 ,  5F140BC12 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04