特許
J-GLOBAL ID：200903003387515385
微細加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
前田 弘 (外3名)
, 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-220240
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083789
出願日： 1994年09月14日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：
【要約】【目的】 原子力間顕微鏡のカンチレバーの探針により、基板上に形成されたレジスト膜に、ナノメートルのオーダーの幅を有する凹状溝が精度良く形成されるようにする。【構成】 シリコン基板20の上にSiO2 膜21を介して膜厚20nmのレジスト膜22を形成する。シリコン基板20を40°C〜80°Cの温度下で保持してレジスト膜22をプリベーキングした後、カンチレバーの探針12をレジスト膜22に所定の押圧力で押し付けた状態でシリコン基板20を水平方向に移動してレジスト膜22に凹状溝22aよりなるレジストパターンを形成する。その後、シリコン基板20を所定の温度下で保持して、凹状溝22aが形成されたレジスト膜22に対してポストベーキングを行なう。レジスト膜22をマスクとしてSiO2 膜21に対してエッチングを行なった後、レジスト膜22の除去を行なう。
請求項（抜粋）：
基板上にレジストを塗布してレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記基板を40°C〜80°Cの温度下で保持することにより、該基板上のレジスト膜をプリベーキングするプリベーキング工程と、プリベーキングされたレジスト膜に原子間力顕微鏡のカンチレバーの探針を所定の押圧力で押し付けた状態で前記基板を水平方向に移動して、プリベーキングされたレジスト膜に凹状溝よりなるレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、前記レジストパターンが形成されたレジスト膜をポストベーキングするポストベーキング工程と、ポストベーキングされたレジスト膜をマスクとして前記基板に対してエッチングを行なうエッチング工程とを備えていることを特徴とする微細加工方法。
IPC (6件)：
H01L 21/3065
, B41M 5/00
, H01L 21/027
, H05K 3/06
, H05K 3/18
, G01N 37/00
H01L 21/302 H
, H01L 21/30 566
