特許

J-GLOBAL ID：200903003387831805

半導体装置の製造方法

発明者： 善家 昌伸
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-277778
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139278
出願日： 1994年11月11日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置を製造する際に、製造コストを低減し、容量部の占有面積を増加させることなく電極の表面積を増加させる。【構成】 半導体基板上に、第1の不純物が含まれていて、複数の島状の第1のポリシリコン膜5を形成することができるグレインサイズを有する第1のポリシリコン膜4を形成する工程と、第1のポリシリコン膜4をリン酸溶液に浸して複数に分離し、複数の島状の第1のポリシリコン膜5を形成する工程と、複数の島状の第1のポリシリコン膜5の上に第2のポリシリコン膜6を形成する工程と、第2のポリシリコン膜6に第2の不純物を導入する工程と、第2の不純物を導入した第2のポリシリコン膜6をリン酸溶液に浸して表面に凹凸を形成し、表面積を増加させた第2のポリシリコン膜7を形成する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に下部電極と誘電体膜と上部電極とを備える容量部を有する半導体装置の製造方法において、前記半導体基板上に、第1の不純物が含まれていて所定のグレインサイズを有する第1のポリシリコン膜を形成する工程と、前記第1のポリシリコン膜をリン酸溶液に浸して該第1のポリシリコン膜を複数に分離し、複数の島状の第1のポリシリコン膜を形成する工程と、前記複数の島状の第1のポリシリコン膜の上に第2のポリシリコン膜を形成する工程と、前記第2のポリシリコン膜に第2の不純物を導入する工程と、前記第2の不純物を導入した第2のポリシリコン膜をリン酸溶液に浸して該第2の不純物を導入した第2のポリシリコン膜の表面に凹凸を形成し、表面積を増加させた第2のポリシリコン膜を形成する工程とを有し、前記所定のグレインサイズが、前記複数の島状の第1のポリシリコン膜を形成することができるサイズであることを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/306 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 21/265 P ,  H01L 21/265 A ,  H01L 21/306 G ,  H01L 27/10 621 Z