特許
J-GLOBAL ID:200903003393470490
フォトニック結晶材料
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
浅村 皓 (外3名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-525446
公開番号(公開出願番号):特表2003-510630
出願日: 2000年09月20日
公開日(公表日): 2003年03月18日
要約:
【要約】フォトニック結晶材料を形成する方法において、感光材料を電磁波の干渉パターンに露光する工程であって、該感光材料を通過する露光量を、その干渉によって作り出される空間的に変化する強度に従って変化させて、該露光量に基づく該感光材料の屈折率の3次元周期変化を作り、また、該感光材料が、少なくとも3個の分子につき平均数の架橋性基を有し、1つの架橋性基当り多くても1000の当量を有する(例えば、ビスフェノールAノボラック樹脂のグリシジルエーテル、好ましくはSU-8ネガティブ・フォトレジストである)該工程を含む、上記形成方法を開示する。
請求項(抜粋):
フォトニック結晶材料を形成する方法において、感光材料を電磁波の干渉パターンに露光する工程であって、該感光材料を通過する露光量を、その干渉によって作り出される空間的に変化する強度に従って変化させて、該露光量に基づく該感光材料の屈折率の3次元周期変化を作り、また、該感光材料が、少なくとも3個の分子につき平均数の架橋性基を有し、1つの架橋性基当り多くても1000の当量を有する該工程を含む、上記形成方法。
IPC (3件):
G02B 6/12
, C08G 59/68
, G02B 6/13
FI (4件):
C08G 59/68
, G02B 6/12 Z
, G02B 6/12 N
, G02B 6/12 M
Fターム (9件):
2H047KA03
, 2H047PA22
, 2H047QA05
, 4J036AF27
, 4J036GA03
, 4J036GA26
, 4J036HA02
, 4J036JA09
, 4J036JA15
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