特許

J-GLOBAL ID：200903003393503690

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 和田 保
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-164143
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017187
出願日： 1997年06月20日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】 薄膜トランジスタの製造方法に関し、断面形状がテーパ状のゲート電極を形成することによって、配線メタル残渣に起因する短絡を防止する。【解決手段】 絶縁性基板1上に設けた半導体層2上に、絶縁膜3を介して導電膜4を設けたのち、電極パターン形成用マスク6をマスクとして、少なくとも電極パターン形成用マスク6の直下以外の領域の導電膜4を多孔質陽極酸化膜7に変換し、次いで、この多孔質陽極酸化膜7の少なくとも電極パターン形成用マスク6の直下以外の領域を除去する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に設けた半導体層上に、絶縁膜を介して導電膜を設けたのち、電極パターン形成用マスクをマスクとして、少なくとも前記電極パターン形成用マスクの直下以外の領域の前記導電膜を多孔質陽極酸化膜に変換し、次いで、前記多孔質陽極酸化膜の少なくとも前記電極パターン形成用マスクの直下以外の領域を除去することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/43

FI (7件)：

H01L 29/78 617 W ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/62 G ,  H01L 29/78 617 J ,  H01L 29/78 617 M ,  H01L 29/78 627 C ,  H01L 29/78 627 Z