特許
J-GLOBAL ID：200903003396647197

アクティブ型表示装置並びにそれを用いたテレビ、カメラ及びコンピュータ

発明者：
▲ひろ▼木 正明

▲ひろ▼木 正明 について

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間瀬 晃

間瀬 晃 について

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山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-150975
公開番号（公開出願番号）：特開2004-310123
出願日： 2004年05月20日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】 表示性能の良好なアクティブ型表示装置を提供する。【解決手段】 ガラス基板上に形成された薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜85および前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした透明導電膜でなる画素電極88を有し、前記ドレイン電極は、層間絶縁物の上に設けられ、且つ、該層間絶縁物に形成された第1のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに直接接続され、前記画素電極88は、前記平坦化膜85の上に設けられ、且つ、該平坦化膜85に形成された第2の複数のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に直接接続されている。【選択図】 図6
請求項１：
ガラス基板上に形成された薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜および前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした透明導電膜でなる画素電極を有し、 前記ドレイン電極は、層間絶縁物の上に設けられ、且つ、該層間絶縁物に形成された第1のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに直接接続され、 前記画素電極は、前記平坦化膜の上に設けられ、且つ、該平坦化膜に形成された第2の複数のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に直接接続されていることを特徴とするアクティブ型表示装置。
IPC (4件)：
G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (4件)：
G09F9/30 338 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 612Z ,  H01L29/78 616S
Fターム (91件)：
2H092GA13 ,  2H092GA24 ,  2H092GA29 ,  2H092GA32 ,  2H092HA04 ,  2H092JA25 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA40 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB42 ,  2H092JB44 ,  2H092JB57 ,  2H092JB58 ,  2H092KA04 ,  2H092KB22 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA12 ,  2H092MA13 ,  2H092MA14 ,  2H092MA24 ,  2H092MA30 ,  2H092NA01 ,  2H092NA21 ,  2H092NA25 ,  2H092PA06 ,  2H092QA06 ,  2H092RA05 ,  5C094AA02 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB02 ,  5C094HA08 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE34 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK09 ,  5F110HK35 ,  5F110HL03 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP27 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ14
引用特許：
審査官引用 (18件)
  • 電気光学装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-089540   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 特開昭55-032026
  • 特開昭56-094386
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