エッチング終点検出方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-123517
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310465
出願日： 1993年04月27日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】容易かつ確実にエッチングの終点を検出することのできるエッチング終点検出方法を提供する。【構成】シリコン酸化膜2上に例えばシリコン等の不純物元素を含有した第一のレジスト3を堆積する工程と、この工程の後、前記第一のレジスト3上に、通常の第二のレジスト4を堆積する工程と、この工程の後、前記第一及び第二のレジスト3及び4を一括してパターニングする工程と、この工程の後、この工程により形成されたレジストパターンにより前記シリコン酸化膜2にドライエッチングを施しながら前記第二のレジスト4にもドライエッチングを施し、前記第一のレジスト3の露出をプラズマ5中の発光スペクトル6の発光量の変化により検知する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

下地膜となる基板上に堆積されたシリコン酸化膜をプラズマを用いてドライエッチングする際のエッチング終点検出方法において、前記シリコン酸化膜上に不純物元素を含有した第一のレジストを堆積する第一の工程と、この第一の工程の後、前記第一のレジスト上に、第二のレジストを堆積する第二の工程と、この第二の工程の後、前記第一及び第二のレジストを一括してパターニングする第三の工程と、この第三の工程の後、この第三の工程により形成されたレジストパターンにより前記シリコン酸化膜にドライエッチングを施しながら前記第二のレジストにもドライエッチングを施し、前記第一のレジストが露出した時点で前記シリコン酸化膜に対するドライエッチングを終了する第四の工程と、この第四の工程において、前記第一のレジストの露出を検出する工程と、を有することを特徴とするエッチング終点検出方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-288833
特開平1-181424
特開昭60-251626

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