熱強化型半導体素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：本城雅則 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-115190
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021276
出願日： 1993年04月20日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】半導体ダイのフラグとの界面を減少し、更にドロップ・イン(drop-in)ヒートシンクを設けて、熱的性能を向上させたことに加えて、基板実装中のパッケージ亀裂に対する抵抗力を強化させた成形型半導体素子(24)を提供する。【構成】半導体ダイ(12)を、開口を備えたフラグ(15)を有するリードフレーム(16)上に実装して、ダイの不活性表面(14)の大部分を露出させる。ダイ(12)とフラグ(15)との間の界面接触領域を減少させることにより、剥離が生じる領域を制限、基板実装中にパッケージに亀裂が発生する危険性を低減する。封入材(22)がパッケージ本体を形成し、このパッケージ本体が開口(23)を包囲して、半導体ダイ(12)の不活性表面の大部分を露出させる。半導体パッケージを印刷回路基板に実装した後、ヒートシンク(26)を前記開口に挿入し、ヒートシンクを直接ダイに結合する。

請求項（抜粋）：

活性表面(13)と、不活性表面(14)と、周辺とを有する半導体ダイ(12)であって、前記活性表面上に複数のボンディング・パッドを有する、前記半導体ダイ;複数のリード(18)と、ダイ開口(6)を備えた実装表面(15)とを有するリードフレーム(16)であって、前記ダイ開口は前記半導体ダイより小さく、前記半導体ダイの不活性表面の第1部分を、前記ダイ開口上の前記リードフレームの実装表面に、接合してあり、これにより前記半導体ダイの不活性表面の第2部分を露出させた、前記リードフレーム;前記半導体ダイの活性表面上の複数のボンディングパッドを、前記リードフレームの複数のリードに、電気的に結合する複数の導電ワイヤ(20);および前記周辺の周りで、前記活性表面上、および前記半導体ダイの不活性表面の前記第1部分、前記ワイヤ、および前記リードフレーム上において、パッケージ本体を形成する封入材(22)であって、前記パッケージ本体は、前記半導体ダイの不活性表面の前記第2部分を露出させる開口(23)を包囲するようにした、前記封入材;から成ることを特徴とする熱強化型半導体素子(10)。

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