特許
J-GLOBAL ID：200903003400022903
ドライエッチング方法及びマグネトロンRIE装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-128196
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321488
出願日： 1995年05月26日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：
【要約】【目的】 被エッチング面積が小さいコンタクトホールエッチング等を良好になし得、かつ同一装置で、被エッチング面積が大きいラインアンドスペースのエッチングや全面エッチバック等を、被エッチング面内において均一性良くエッチングできるドライエッチング方法及びマグネトロンRIE装置を提供する。【構成】 ?@マグネトロンRIE装置を用い、複数個の上部電極11,12を設け、かつ、各上部電極と下部電極2との距離を可変できる構成としたドライエッチング方法。例えば被エッチング面積が小さい時には上部中央電極を上部周辺電極より下部電極に近づけ、被エッチング面積が大きい時には上部中央電極と上部周辺電極が下部電極から同距離になるように電極距離を変える。?A複数個の上部電極11,12を持ち、各々の上部電極11,12と下部電極2との距離を可変できるマグネトロンRIE装置。
請求項（抜粋）：
マグネトロンRIE装置を用いるドライエッチング方法であって、複数個の上部電極を設け、かつ、各々の上部電極と下部電極との距離を可変できる構成としたドライエッチング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 C
, C23F 4/00 C
