特許

J-GLOBAL ID：200903003412750173

半導体薄膜形成装置

発明者： 梶田 直幸
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-127549
公開番号（公開出願番号）：特開平7-331424
出願日： 1994年06月09日
公開日（公表日）： 1995年12月19日
要約：

【要約】【目的】 高いアスペクト比を有する微細コンタクトホール、スルーホールに対して段差被覆性および穴埋め性を良好とする。【構成】 31はるつぼ60、加熱フィラメント61およびイオン化機構62からなる蒸着イオンビーム源で、コンタクトホールを有する基板2に対向している。そして、蒸着イオンビーム源31に対応してビーム制御部34が設けられ、基板2に入射する蒸着物質のビームの入射角を制御している。また、基板駆動機構33aにより、基板2を公転、自転、往復運動させる。

請求項（抜粋）：

所定の真空度に保持された真空槽内に基板を配置し、この基板に対向して蒸着イオンビーム源を設けた半導体薄膜形成装置において、前記基板を駆動する基板駆動機構と、前記基板と前記蒸着イオンビーム源との間にイオンビームの入射ビーム角を制限する入射ビーム角制限機構とを備えたことを特徴とする半導体薄膜形成装置。

IPC (2件)：

C23C 14/32 ,  H01L 21/203