特許
J-GLOBAL ID：200903003414699990

中性金属デンドリマー錯体

発明者：
サムエル、アイフォー、デーヴィッド、ウィリアム

サムエル、アイフォー、デーヴィッド、ウィリアム について

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バーン、ポール、レスリー

バーン、ポール、レスリー について

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ロー、シー - チャン

ロー、シー - チャン について


出願人/特許権者：
イシス イノベイション リミテッド

イシス イノベイション リミテッド について

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ザ ユニバーシティ コート オブ ザ ユニバーシティ オブ セント アンドルーズ

ザ ユニバーシティ コート オブ ザ ユニバーシティ オブ セント アンドルーズ について


代理人 (4件)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  安藤 克則 ,  池田 幸弘
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-532299
公開番号（公開出願番号）：特表2005-537321
出願日： 2003年08月28日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：
帯電中性有機金属デンドリマーが記載されており、前記デンドリマーは、式(I):芯-[デンドライト(-Q)a]n、〔式中、芯は、式MXxYz(ここでMは金属陽イオンを表し、xは1以上の整数を表し、同じか又は異なるXは、各々、一、二又は三デンテイト配位基を表し、zは0又は1以上の整数を表し、同じか又は異なるYは、各々、配位基を表し、(b.x)+(c.z)の合計はMの配位点の数に等しく、ここでbはX上の配位点の数であり、cはY上の配位点の数である)の基を表し;nは2以上の整数を表し;同じか又は異なるデンドライトは、各々、基Xに結合した樹枝状分子構造体を表し;aは、0又は1以上の整数を表し;同じか又は異なるQは、各々、表面基を表し;芯は、デンドライトの分岐基又は分岐原子に結合した第一単結合で終わっている〕を有し、該デンドリマーは、Mを中心とし前記デンドリマーを含む概念的球の半球が前記第一単結合を欠くことのない構造を有する。
請求項（抜粋）：
式(I): 芯-[デンドライト(-Q)a]n (I) 〔式中、芯は、式MXxYz(ここでMは金属陽イオンを表し、xは1以上の整数を表し、同じか又は異なるXは、各々、一、二、又は三デンテイト配位基を表し、zは0又は1以上の整数を表し、同じか又は異なるYは、各々、配位基を表し、(b.x)+(c.z)の合計はMの配位点の数に等しく、ここでbはX上の配位点の数であり、cはY上の配位点の数である)の基を表し;nは2以上の整数を表し;同じか又は異なるデンドライトは、各々、基Xに結合した樹枝状分子構造体を表し;aは、0又は1以上の整数を表し;同じか又は異なるQは、各々、表面基を表し;芯は、デンドライトの分岐基又は分岐原子に結合した第一単結合で終わっている。〕の帯電中性有機金属デンドリマーであって、Mを中心とし前記デンドリマーを含む概念的球の半球が前記第一単結合を欠くことのない構造を有する、上記デンドリマー。
IPC (5件)：
C07F15/00 ,  C07D213/30 ,  C07D401/10 ,  C09K11/06 ,  H05B33/14
FI (5件)：
C07F15/00 E ,  C07D213/30 ,  C07D401/10 ,  C09K11/06 660 ,  H05B33/14 B
Fターム (27件)：
3K007AB03 ,  3K007AB11 ,  3K007DB03 ,  4C055AA01 ,  4C055BA02 ,  4C055BA08 ,  4C055BA16 ,  4C055BB02 ,  4C055CA01 ,  4C055CA02 ,  4C055CA08 ,  4C055CA16 ,  4C055CB02 ,  4C055DA01 ,  4C055DA08 ,  4C055DA16 ,  4C055DB02 ,  4C063AA01 ,  4C063CC12 ,  4C063DD08 ,  4C063EE10 ,  4H050AA01 ,  4H050AA03 ,  4H050AB92 ,  4H050WB11 ,  4H050WB14 ,  4H050WB21
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)
引用文献：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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