特許

J-GLOBAL ID：200903003417726742

薄膜光電変換装置の製造方法

発明者： 多和田 裕子 ,  山本 憲治
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-050586
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252497
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】 光電変換特性が改善された薄膜光電変換装置を簡便に製造できる方法を提供する。【解決手段】 基板(1)上に、裏面金属電極(102)、裏面透明導電膜(103)、薄膜光電変換ユニット(11)、および透明電極(2)を順次形成してシリコン系薄膜光電変換装置を製造するにあたり、スパッタ法により裏面透明導電膜(103)を10nm〜1μmの厚さに成膜する際に、成膜初期に5×10-2Torr以上の反応室内圧力で1〜30秒間にわたって裏面透明導電膜を成膜した後、反応室内圧力を成膜初期の1/10以下に下げて残りの厚さの裏面透明導電膜を成膜する。

請求項（抜粋）：

基板上に、裏面金属電極、裏面透明導電膜、薄膜光電変換ユニット、および透明電極を順次形成して薄膜光電変換装置を製造するにあたり、スパッタ法により前記裏面透明導電膜を成膜する際に、成膜初期に5×10-2Torr以上の反応室内圧力で1〜30秒間にわたって裏面透明導電膜を成膜した後、反応室内圧力を成膜初期の1/10以下に下げて残りの厚さの裏面透明導電膜を成膜することを特徴とする薄膜光電変換装置の製造方法。

FI (2件)：

H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 M

Fターム (16件)：

5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051AA09 ,  5F051AA10 ,  5F051CB15 ,  5F051CB27 ,  5F051CB29 ,  5F051DA04 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051FA15 ,  5F051FA19 ,  5F051GA02 ,  5F051GA03 ,  5F051GA05