特許

J-GLOBAL ID：200903003418849260

ダミーウェーハの清浄度評価方法及び洗浄方法

発明者： 河原 博之 ,  米田 健司 ,  大石 博司
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-232378
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074324
出願日： 1997年08月28日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】 SiCを含むダミーウェーハについて、熱処理した場合に汚染を生じない程度の十分な清浄度を有するか否かを評価する。【解決手段】 CVD-SiCよりなるダミーウェーハ12とSiよりなるライフタイム測定用ウェーハ13とを、ボート11の上下方向からダミーウェーハ12がライフタイム測定用ウェーハ13をはさむような位置関係で、該ボート11へ配置する。各ウェーハを配置したボート11をチューブ10へ挿入し、チューブ10へ酸素を供給し、酸素雰囲気中で900°C以上の温度によってダミーウェーハ12とライフタイム測定用ウェーハ13とを熱処理する。該熱処理によって膜厚20nm以上のシリコン酸化膜が形成されたライフタイム測定用ウェーハ13の少数キャリアライフタイムを、光導電減衰法によって評価する。

請求項（抜粋）：

半導体デバイス製造ラインの熱処理装置において使用するためのダミーウェーハの清浄度評価方法であって、複数のウェーハを同時処理できる熱処理装置によって、酸素を含む雰囲気中において900°C以上の温度により、SiCを含むダミーウェーハとSiウェーハとを該Siウェーハ上へ厚さ20nm以上のシリコン酸化膜を形成するように同時に熱処理する工程と、光導電減衰法を使用して、前記Siウェーハの少数キャリアライフタイムを測定する工程とを備えたことを特徴とするダミーウェーハの清浄度評価方法。

IPC (4件)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/68

FI (5件)：

H01L 21/66 L ,  H01L 21/66 N ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/68 A ,  H01L 21/30 541 Z