特許

J-GLOBAL ID：200903003420223484

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

発明者： 干場 一博
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 古谷 栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-065013
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275846
出願日： 1993年03月24日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】 集積度を向上させた不揮発性半導体記憶装置を提供する。【構成】 選択ゲート電極9は、強誘電体膜6および絶縁体膜26の一部を覆っている。ソース電極25はチャネル領域10aを覆っている。チャネル領域10aは、書き込み時にはオフセット領域を構成するが、読み出す際にはソース4に読み出し電圧を印加することにより、オン状態となる。【効果】 ソース電極25が覆っている基板表面領域を一種のオフセット領域として利用できる。また、選択ゲート電極9およびコントロールゲート電極5が形成される領域をより小さくできる。

請求項（抜粋）：

第1領域、第1領域に隣接して順次形成された第1,第2,第3の電路形成可能領域、第3の電路形成可能領域に隣接して形成された第2領域、少なくとも第2の電路形成可能領域を覆う強誘電体膜、強誘電体膜を介して第2の電路形成可能領域上に設けられた分極用制御電極、第3の電路形成可能領域上に設けられる電路形成用制御電極であって、分極用制御電極の一部を覆うとともに、分極用制御電極および第3の電路形成可能領域と絶縁状態で設けられた電路形成用制御電極、前記第1の電路形成可能領域および分極用制御電極と絶縁状態で、前記第1の電路形成可能領域を覆う第1領域用の電極、を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 液体粘性ダンパー機構
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-292953   出願人：株式会社大金製作所