特許

J-GLOBAL ID：200903003421887661

半導体装置、及び半導体装置の製造方法

発明者： 横山 武
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-223393
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053484
出願日： 1992年07月30日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】 段差を緩和して平坦性を上げ、高集積化構造を可能とし、セルフアラインコンタクト形成可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法の提供。【構成】 ?@Si系材料層3,4上に絶縁層5を形成した積層構造の電極部と、Si系材料層のみから成る構造の電極部とを有し、両Si系材料層は同層の材料層により形成される。?ASi系材料層を形成し、絶縁層を形成し、コンタクト形成領域において該絶縁層を残し、その他の部分で除去する。?BSi系材料層上に絶縁層を形成し、更にその上にポリSi等の上層シリコン系材料層を形成した積層構造の電極部と、Si系材料層のみ、又はSi系材料層とこの上の絶縁層とから成る構造の電極部を有する。

請求項（抜粋）：

シリコン系材料層上に絶縁層を形成した積層構造の電極部と、シリコン系材料層のみから成る構造の電極部とを有し、前記両シリコン系材料層は同層の材料層により形成されたものであることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/46 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/11

FI (3件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 27/10 325 P ,  H01L 27/10 381