特許

J-GLOBAL ID：200903003422914352

半導体発光素子

発明者： 野口 悦男 ,  三上 修
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-158356
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013866
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 高出力,高効率,低閾値の半導体発光素子を提供する。【構成】 p形InP基板1上に設けた順メサ形状の活性層3のメサ側面をp形InP層5で覆ってメサ側面を滑らかにする。このp形InP層5の上にn形InGaAsP電流狭窄層6を成長させる。この電流狭窄層6は活性層3のメサ側面に成長せず、そのはい上がりも抑制され、かつ活性層3よりも下方に成長する。p形InP層5を通して流れる洩れ電流は僅かであり、高出力,高効率,低閾値の半導体発光素子を提供できる。

請求項（抜粋）：

p形半導体基板と、該基板上に配置された順メサの形態の活性層と、該活性層の上側と下側および順メサ側面を覆うように埋め込まれ、前記活性層よりもバンドギャップエネルギが大きく、かつ屈折率の小さい半導体埋め込み層とを有する半導体発光素子において、前記半導体埋め込み層は、前記基板に接し、かつ前記順メサ側面および該順メサ側面に続くギャップ領域を覆うように配置された、当該基板と同じp形半導体によるバッファ層と、該バッファ層の上で、かつ前記活性層よりも下方の位置に配置され、前記活性層よりもバンドギャップエネルギが大きく、かつ前記バッファ層よりバンドギャップエネルギが小さいn形半導体による電流狭窄層とを具えたことを特徴とする半導体発光素子。