プラズマ研磨装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅井章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-236530
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058521
出願日： 1998年08月08日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】一度に複数枚の被研磨体に対して効率良く、しかも機械的ダメージを与えることなく表面研磨を行なうことができるプラズマ研磨装置を提供する。【解決手段】内部雰囲気が真空引き可能になされた研磨容器14と、この研磨容器内へ収容されて、複数の被研磨体Wを載置するために回転可能になされた回転載置台16と、前記回転載置台上の前記被研磨体の回転軌跡上に設けられ、前記回転する被研磨体に対して高周波によりプラズマ化された表面研磨用のプラズマエッチングガスを供給するプラズマエッチングガス供給手段48とを設ける。これにより、一度に複数枚の被研磨体に対して効率良く、しかも機械的ダメージを与えることなく表面研磨を行なう。

請求項（抜粋）：

内部雰囲気が真空引き可能になされた研磨容器と、この研磨容器内へ収容されて、複数の被研磨体を載置するために回転可能になされた回転載置台と、前記回転載置台上の前記被研磨体の回転軌跡上に設けられ、前記回転する被研磨体に対して高周波によりプラズマ化された表面研磨用のプラズマエッチングガスを供給するプラズマエッチングガス供給手段とを設けたことを特徴とするプラズマ研磨装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 21/304 621

FI (3件)：

H01L 21/302 L , C23F 4/00 A , H01L 21/304 621 Z

Fターム (53件)：

4K057DA04 , 4K057DB01 , 4K057DB08 , 4K057DB20 , 4K057DD01 , 4K057DD04 , 4K057DD08 , 4K057DD09 , 4K057DE01 , 4K057DE06 , 4K057DE14 , 4K057DE20 , 4K057DG02 , 4K057DG07 , 4K057DG08 , 4K057DG12 , 4K057DG13 , 4K057DG15 , 4K057DG16 , 4K057DM02 , 4K057DM04 , 4K057DM13 , 4K057DM18 , 4K057DM35 , 4K057DM39 , 4K057DN01 , 5F004AA01 , 5F004AA06 , 5F004AA09 , 5F004AA11 , 5F004BA03 , 5F004BA04 , 5F004BA11 , 5F004BB11 , 5F004BB13 , 5F004BB24 , 5F004BB25 , 5F004BB28 , 5F004BD07 , 5F004CA04 , 5F004DA04 , 5F004DA06 , 5F004DA17 , 5F004DA18 , 5F004DA23 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB00 , 5F004DB08 , 5F004DB10 , 5F004DB13 , 5F004EB02 , 5F004EB03

引用特許：

審査官引用 (7件)

超精密鏡面加工方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-100347 出願人：株式会社ユーハ味覚糖精密工学研究所, 森勇藏
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-339200 出願人：ソニー株式会社
研磨装置及び研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-199863 出願人：東京エレクトロン株式会社

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