特許

J-GLOBAL ID：200903003430667240

同位体超格子半導体装置

発明者： 伊藤 公平
出願人/特許権者： 学校法人慶應義塾
代理人 (1件)： 役 昌明 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-065015
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260974
出願日： 1999年03月11日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 半導体の伝導帯間散乱を減少させて、電気伝導度および発光・受光特性を向上させる。【解決手段】 <SP>28</SP>Siを、{100}結晶面とは平行ではない結晶軸方向、例えば<111>方向に5原子層だけ成長させた第1の層と、<SP>30</SP>Siを<111>方向に5原子層だけ成長させた第2の層とを交互に設ける。<SP>28</SP>Si同位体と<SP>30</SP>Si同位体を交互に5原子層ずつ成長させて積層し、同位体超格子を構成すれば、格子振動の最大の波数が5分の1に減少し、伝導帯間の波数ベクトルより小さくなり、遷移が起きなくなる。このようにして、フォノンによる伝導帯間散乱を抑制して、電気伝導度および発光・受光特性を向上させることができる。GeまたはSiGe混晶などの多谷間半導体でも、伝導帯間散乱を抑制して、大幅な特性向上が実現できる。

請求項（抜粋）：

SiやGeなどの多谷間半導体原子の第1の同位体を、支配的な伝導帯間散乱の方向とは平行でない結晶軸方向に所定原子層だけ成長させた第1の層と、前記半導体原子の第2の同位体を前記結晶軸方向に前記所定原子層だけ成長させた第2の層とを交互に設けたことを特徴とする同位体超格子半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/06 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 29/06 ,  H01L 33/00 A ,  H01L 31/10 A

Fターム (9件)：

5F041AA02 ,  5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F049MB03 ,  5F049NA03 ,  5F049QA16 ,  5F049SS03