特許

J-GLOBAL ID：200903003433742790

イオンビームスパツタリング装置

発明者： 入澤 一彦 ,  岡本 紀夫 ,  山原 登 ,  橋本 一
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 藤田 龍太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-225116
公開番号（公開出願番号）：特開平5-044030
出願日： 1991年08月09日
公開日（公表日）： 1993年02月23日
要約：

【要約】【目的】 タ-ゲットを小形化し、成膜品質の低下を防止する。【構成】 2個所の位置の基板5のそれぞれの中心線の交点に,支持軸6の先端に傾斜して支持されたタ-ゲット8を設け、タ-ゲット8にイオンビ-ム10を照射し、支持軸6を回転させて両基板5に成膜を行うイオンビ-ムスパッタリング装置において、両中心線を通る平面に垂直に支持軸6を設け、支持軸6の軸線上にイオンビ-ム10の中心線を位置させる。

請求項（抜粋）：

2個所の位置の基板のそれぞれの中心線の交点に,支持軸の先端に傾斜して支持されたタ-ゲットを設け、該タ-ゲットにイオンビ-ムを照射し、前記支持軸を回転させて前記両基板に成膜を行うイオンビ-ムスパッタリング装置において、前記両中心線を通る平面に垂直に前記支持軸を設け、該支持軸の軸線上に前記イオンビ-ムの中心線を位置させたイオンビ-ムスパッタリング装置。