特許
J-GLOBAL ID：200903003435979313
評価用半導体ウェーハの作成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小倉 亘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-060920
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256331
出願日： 1997年03月14日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 深さが連続的に変化した欠陥部検出用のエッチング溝が形成された評化用半導体ウェーハを得る。【解決手段】 直径方向に延びた表面部分9を残してウェーハ1の表面にマスクテープ2を貼り、エッチング液5にウェーハ1を徐々に浸漬する。浸漬時間に応じてエッチングされるため、深さが連続的に変化するエッチング溝を表面部分9に形成される。【効果】 表面部分9に形成されたエッチング溝を観察することにより、欠陥部の深さが高精度に測定される。
請求項（抜粋）：
直径方向に延びた表面部分を残してウェーハの表面にマスクテープを貼り、エッチング液にウェーハを徐々に浸漬し、浸漬時間に応じて深さが連続的に変化するエッチング溝を前記表面部分に形成する評価用半導体ウェーハの作成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, G01N 1/00 102
, G01N 1/32
H01L 21/66 N
, G01N 1/00 102 B
, G01N 1/32 B
