特許

J-GLOBAL ID：200903003437973657

半導体素子の製造方法

発明者： 田村 敏隆 ,  赤井 光邦 ,  井ノ口 ゆかり ,  亀谷 英司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-290932
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124159
出願日： 1998年10月13日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウエハのへき開面近傍で歩留まり良く半導体素子を分割する。【解決手段】 半導体ウエハ21は、ハーフダイスで表面22側からダイシング溝31を形成し、裏面23側からスクライブ溝33を形成した状態で、表面22を粘着シート24に張付ける。半導体ウエハ21のへき開面28には、スペーサ30を隣接させて粘着シート24上に張付ける。スペーサ30は、半導体ウエハ21と同一材料で、かつ厚みも同等に形成される。半導体ウエハ21の裏面23側から弾力性のあるブレイクシャフト25を押付けると、へき開面28の近傍でもブレイクシャフト25からの圧力は半導体ウエハ21の厚み方向に作用し、スクライブ溝33とダイシング溝31との間に割れ目25が生じて、へき開面28近傍でも健全な光半導体素子27を得ることができる。

請求項（抜粋）：

へき開面を有する半導体ウエハに形成されている複数の半導体素子を分離する際に、へき開面に適合する形状を有するスペーサをへき開面に隣接させ、半導体ウエハとスペーサとに同時に圧力をかけて半導体ウエハを割り、半導体素子へ分割することを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/301 ,  B26F 3/00

FI (5件)：

H01L 21/78 U ,  B26F 3/00 A ,  H01L 21/78 W ,  H01L 21/78 X ,  H01L 21/78 M

Fターム (3件)：

3C060AA10 ,  3C060CB06 ,  3C060CB17

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-036094
  
• 特開昭55-013911