特許
J-GLOBAL ID：200903003439466604
強誘電体キャパシタ用PZT薄膜及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小塩 豊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-072003
公開番号（公開出願番号）：特開平8-273436
出願日： 1995年03月29日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：
【要約】【目的】 PZT薄膜の優れた強誘電体特性を維持するとともにその耐久性を向上させ得る、強誘電体キャパシタ用PZT薄膜及びその製造方法を提供する。【構成】 PZT薄膜はPZT強誘電体にアクセプタ元素とドナー元素がドーピングされることによりなり、その強誘電体キャパシタ用PZT薄膜の製造方法はPZT強誘電体にアクセプタ元素とドナー元素を同時にドーピングさせることである。
請求項（抜粋）：
PZT強誘電体にドナー元素とアクセプタ元素がドーピングされたものでなることを特徴とする強誘電体キャパシタ用PZT薄膜。
IPC (5件)：
H01B 3/00
, C04B 35/46
, H01B 3/12 301
, H01G 4/12 391
, H01G 7/06
H01B 3/00 F
, H01B 3/12 301
, H01G 4/12 391
, H01G 7/06
, C04B 35/46 A
