特許

J-GLOBAL ID：200903003444891704

半導体装置

発明者： 北角 英人
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-299216
公開番号（公開出願番号）：特開平6-125087
出願日： 1992年10月12日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：

【要約】【目的】 SOI構造上に高集積デバイスを形成する場合にも、デバイス動作に伴って発生する熱による温度上昇を抑え、デバイスの基本動作特性や電気的信頼性の低下を防止可能である。【構成】 この半導体装置は、シリコン基板1上にSiO2層2が形成されて、絶縁性基板3が構成され、SOI構造のものとなっている。絶縁性基板3上には、デバイス(MOS・FET)4が形成され、デバイス4全体が絶縁膜5で覆われている。ここで、絶縁膜5は、アルミナ(Al2O3)により形成されており、アルミナ(Al2O3)は、熱伝導率が21W/mKと大きいので、デバイス4の下層がSiO2層2となっている場合にも、デバイス動作に伴って発生する熱は、このアルミナ(Al2O3)の絶縁膜5を通して放熱される。これにより、高集積化がなされる場合も、デバイスの温度上昇を抑えることができる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上にデバイスが形成されるSOI構造の半導体装置において、前記デバイスに対する層間絶縁膜または配線保護膜の少なくとも一部がアルミナ(Al2O3)により形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/84 ,  H01L 23/34