特許
J-GLOBAL ID：200903003454121664
炭素-窒素化合物膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-085764
公開番号（公開出願番号）：特開平5-287502
出願日： 1992年04月07日
公開日（公表日）： 1993年11月02日
要約：
【要約】【目的】 基体材料の耐熱性の点で特段の制約を受けることなく様々な種類の基体の表面に、高硬度の炭素-窒素化合物膜を安定に、且つ、密着性良く形成することができる方法を提供する。【構成】 所定真空度の真空中に設置した基体2の表面に炭素20の蒸着と窒素イオン14の照射を同時又は交互に行うことにより該基体表面に炭素-窒素化合物膜を形成する炭素-窒素化合物膜の形成方法。
請求項（抜粋）：
所定真空度の真空中に設置した基体の表面に炭素の蒸着と窒素イオンの照射を同時又は交互に行うことにより該基体表面に炭素-窒素化合物膜を形成することを特徴とする炭素-窒素化合物膜の形成方法。
IPC (3件)：
C23C 14/06
, C23C 14/22
, C23C 14/48
