特許

J-GLOBAL ID：200903003457376086

太陽電池

発明者： 根上 卓之 ,  西谷 幹彦 ,  古曵 重美 ,  和田 隆博
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 東島 隆治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-168694
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074376
出願日： 1993年06月14日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：

【要約】【目的】 光吸収層としてカルコパイライト構造の半導体薄膜を用いる太陽電池のエネルギー変換効率を向上する。【構成】 透明絶縁性基板1上に形成した透明導電膜2上に、透明絶縁性膜3、II族とVI族元素からなる半導体薄膜4、カルコパイライト構造の半導体薄膜5、前記薄膜5より高いキャリア濃度を有する半導体薄膜6、上部電極7を順に積層する。

請求項（抜粋）：

透明絶縁性基板上に形成された透明導電膜上に、II族元素とVI族元素からなる半導体薄膜、I族元素とIII族元素とVI族元素からなるカルコパイライト構造の半導体薄膜、前記カルコパイライト構造の半導体薄膜より高いキャリア濃度を有する半導体薄膜、および金属膜あるいは透明導電膜を順に積層した構成からなることを特徴とする太陽電池。