特許

J-GLOBAL ID：200903003463937065

半導体製造装置

発明者： 矢嶋 興一 ,  田久 真也
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-178391
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037837
出願日： 1993年07月20日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウェーハの切断分離に手間が掛からず、その分離する際の歩留の低下を少なくすることができる半導体製造装置を提供する。【構成】 多孔質吸着体33の凹曲面状の吸着面34に面形状に倣うように分割溝45が削設された半導体ウェーハ24を吸着機構37によって吸着させることにより、分割溝45の部分で切断分離されるようにしている。このため、半導体ウェーハ24は吸着力を適宜に設定して吸着体33に吸着すると、肉厚が薄くなっている分割溝45の部分で折れ曲がるように変形し、凹曲面状の吸着面34の面形状に倣うように変形する。そして、この変形によって半導体ウェーハ24は分割溝45の部分で切断分離される。この結果、所定の大きさに分割できるように分割溝45が設けられた半導体ウェーハ24は、手間が掛からずに切断分離され、また所定の大きさに分離する際の歩留の低下を少なくすることができる。

請求項（抜粋）：

通気性を有する多孔質の吸着体と、この吸着体に形成された凹曲面状の吸着面と、この吸着面を残すようにして前記吸着体を覆うよう設けられた吸着部本体と、この吸着部本体に形成された吸引口と、この吸引口に連通するように接続し前記吸着面に分割溝が削設された半導体ウェーハを吸着させる吸引機構とを備え、前記半導体ウェーハを前記吸着面の形状に倣うように吸着させることにより、該半導体ウェーハが前記分割溝の部分で切断分離されるようにしたことを特徴とする半導体製造装置。