特許

J-GLOBAL ID：200903003465372740

半導体装置およびその製造方法

発明者： 関口 満
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-210937
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026015
出願日： 2000年07月12日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】 Cu配線のエレクトロマイグレーション特性を向上する。【解決手段】 コンタクトホール8および配線溝9を形成後、イオン化スパッタ法等により(111)配向したAl膜14を堆積した後、MOCVD法によりバリア膜としてMOCVD-TiN膜10を堆積する。次にスパッタ法でCuシード層11を形成後、電解メッキ法によりCuメッキ膜12を形成し、コンタクトホール8、配線溝9を埋め込む。その後の温度上昇を伴う工程によりCuメッキ膜12とCuシード層11は一つのCu膜13となる。CMP法等により配線溝外部の不要な導電膜を除去し埋め込み配線を形成する。MOCVD-TiN膜10は、その下に(111)配向したAl膜14を設けたことで、膜中にCu(111)面と整合しやすい結晶性を誘起し、上部のCu膜13の(111)配向性を高められる。

請求項（抜粋）：

層間絶縁膜に埋め込まれた埋め込み配線を備えた半導体装置であって、前記埋め込み配線は、前記層間絶縁膜の配線用凹部に形成され(111)配向したAl膜と、前記Al膜上に形成されたCu膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 A

Fターム (32件)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033LL07 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP09 ,  5F033PP11 ,  5F033PP15 ,  5F033PP18 ,  5F033PP20 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ91 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR12 ,  5F033SS21 ,  5F033TT02 ,  5F033XX05