特許
J-GLOBAL ID：200903003469713177
半導体発光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 敬一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-141526
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340517
出願日： 1998年05月22日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 半導体発光装置の半導体発光素子から照射された光を樹脂封止体から高輝度に発光させる。【解決手段】 本発明による半導体発光装置では、半導体発光素子(4)を包囲し且つ半導体発光素子(4)から照射された光を樹脂封止体(6)側に反射する傾斜面(11c)を有するリフレクタ(11)を基板(1)の一方の主面(1a)に固着し、リフレクタ(11)を樹脂封止体(6)内に埋設する。半導体発光素子(4)から側方に照射される光をリフレクタ(11)の傾斜面(11c)によって上方に反射するので、樹脂封止体(6)の上方向かう光量を従来に比べて増加して高輝度に光を取り出すことができる。
請求項（抜粋）：
一方の主面(1a)にアイランド配線導体(2)とターミナル配線導体(3)とを個別に形成した絶縁性の基板(1)と、前記アイランド配線導体(2)上に固着された半導体発光素子(4)と、該半導体発光素子(4)に形成された電極と前記ターミナル配線導体(3)とを接続するリード細線(5)と、前記基板(1)の一方の主面(1a)のアイランド配線導体(2)及びターミナル配線導体(3)の一部、半導体発光素子(4)及びリード細線(5)を被覆する光透過性又は透明の樹脂封止体(6)とを有する半導体発光装置において、前記半導体発光素子(4)を包囲し且つ前記半導体発光素子(4)から照射された光を前記樹脂封止体(6)側に反射する傾斜面(11c)を有するリフレクタ(11)を前記基板(1)の一方の主面(1a)に固着し、前記リフレクタ(11)を前記樹脂封止体(6)内に埋設したことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (5件)：
H01L 33/00
, H01L 23/29
, H01L 23/31
, H01L 25/04
, H01L 25/18
H01L 33/00 N
, H01L 23/30 F
, H01L 25/04 Z
