特許

J-GLOBAL ID：200903003470655113

発光素子

発明者： 高木 宏典 ,  谷沢 公二 ,  丸居 宏充
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-114448
公開番号（公開出願番号）：特開2001-298215
出願日： 2000年04月14日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【課題】 種々の応用製品への適用範囲の拡大を可能とするために、発光出力及び静電耐圧を向上させることができる窒化物半導体発光素子を提供する。また、多彩な発光色の発光素子を得る。【解決手段】 基板上に、n側窒化物半導体層、活性層及びp側窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、活性層がIn<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N(0≦a<1)よりなる多重量子井戸構造であり、n側窒化物半導体層が、n型不純物が互いに異なる濃度でドープされたバンドギャップエネルギーが異なる又はn型不純物が互いに異なる濃度でドープされた同一組成を有する2種類の窒化物半導体層が積層されてなるn側第1多層膜層と、Inを含む第1の窒化物半導体層と、その第1の窒化物半導体層と異なる組成を有する第2の窒化物半導体層とが積層されてなり、n側第1多層膜と活性層との間に位置するn側第2多層膜層が、フォトルミネセンス層であって、活性層からの光を吸収して、それとは異なる波長の光を発する。

請求項（抜粋）：

活性層が、p型層と、n型層とに挟まれた構造を有する発光素子において、前記活性層からの光の少なくとも一部を吸収し、該活性層からの光と異なる波長の光を発するフォトルミネセンス層が、前記p導電型層、n導電型層の少なくとも一方に設けられていることを特徴とする発光素子。

FI (2件)：

H01L 33/00 F ,  H01L 33/00 C

Fターム (15件)：

5F041AA04 ,  5F041AA12 ,  5F041AA14 ,  5F041AA31 ,  5F041CA05 ,  5F041CA10 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA53 ,  5F041CA56 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74