特許
J-GLOBAL ID：200903003470799930
積層型半導体集積回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-263544
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120419
出願日： 1992年10月01日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】 LSIチップを貼り合わせて積層化した場合の上下のLSI間を電気的に接続する電極と上部LSIの基板との間で生ずる絶縁不良を改善する。【構成】 上部LSIチップ208を構成するスルーホール電極600を有した半導体基板202の裏面に絶縁薄膜100を形成し、接着剤501によって上部LSIチップを接着し、スルーホール電極600と下部LSI上の配線500とを導通させる。
請求項（抜粋）：
複数個の半導体集積回路を接着手段を用いて立体回路化した積層型半導体集積回路であって、半導体基板裏面が絶縁性薄膜で被覆されている被積層半導体集積回路と積層半導体集積回路が接着剤層を介して積層されてなる積層型半導体集積回路。
IPC (3件)：
H01L 27/00 301
, H01L 21/90
, H01L 21/31
